ソリューションプロバイダー
0
%
CSD19506KCS
CSD19506KCS

Texas Instruments
ブランド
チューブ
包装
バッチ
349
株式
製品仕様書
タイプ説明
製造元Texas Instruments
シリーズNexFET™
パッケージチューブ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースTO-220-3
取付タイプThrough Hole
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C100A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs2.3mOhm @ 100A, 10V
消費電力(最大)375W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID3.2V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)6V, 10V
Vgs (最大)±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)80 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs156 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds12200 pF @ 40 V
製品概要
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
captcha
0.464375s