製造元 | Texas Instruments |
シリーズ | NexFET™ |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN |
取付タイプ | Surface Mount |
構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
動作温度 | -55°C ~ 125°C |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
パワー - 最大 | 6W |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 25V |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
FETの特徴 | Logic Level Gate, 5V Drive |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-VSON (3.3x3.3) |