製造元 | Texas Instruments |
シリーズ | NexFET™ |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN |
取付タイプ | Surface Mount |
構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
パワー - 最大 | 12W (Ta) |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 25V |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V |
FETの特徴 | Logic Level Gate, 5V Drive |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-VSON-CLIP (5x6) |