タイプ | 説明 |
製造元 | Texas Instruments |
シリーズ | NexFET™ |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 5-LGA |
取付タイプ | Surface Mount |
構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
パワー - 最大 | 8W |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1150pF @ 15V |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 7.7mOhm @ 25A, 8V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 9.2nC @ 4.5V |
FETの特徴 | Logic Level Gate |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.9V @ 250µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 5-PTAB (5x3.5) |