タイプ | 説明 |
製造元 | Texas Instruments |
シリーズ | NexFET™ |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
取付タイプ | Surface Mount |
構成 | 2 N-Channel (Dual) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
パワー - 最大 | 2.1W |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 15A |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1400pF @ 30V |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.6V @ 250µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |